檢測(cè)兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測(cè)PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個(gè)基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對(duì)調(diào)兩表筆后檢測(cè)PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無窮大。如果測(cè)量結(jié)果與上述不符，說明被測(cè)單結(jié)管已損壞。[8]測(cè)量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個(gè)測(cè)量電路，用萬用表“直流10V”擋測(cè)出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計(jì)算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡(jiǎn)化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對(duì)數(shù)，即以e（）為底的對(duì)數(shù)。[10]單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺(tái)燈電路。在交流電的每半周內(nèi)，晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導(dǎo)通，調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時(shí)間，即改變了VS的導(dǎo)通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實(shí)現(xiàn)了調(diào)光的目的。[11]晶體閘流管簡(jiǎn)稱為晶閘管，也叫做可控硅。正高電氣擁有業(yè)內(nèi)**人士和高技術(shù)人才。威海MTDC30晶閘管智能模塊品牌

    按規(guī)定應(yīng)采用風(fēng)冷的模塊而采用自冷時(shí)，則電流的額定值應(yīng)降低到原有值的30～40[%]，反之如果改為采用水冷時(shí)，則電流的額定值可以增大30～40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風(fēng)機(jī)，我們確定了不同型號(hào)模塊在其額定電流工作狀態(tài)下，環(huán)境溫度為40℃時(shí)所需的散熱器長度、風(fēng)機(jī)規(guī)格、數(shù)量及散熱器基礎(chǔ)參數(shù)等，請(qǐng)參考表11～12。另外，我們?cè)诒韮?nèi)出具了每個(gè)型號(hào)的模塊在峰值壓降、比較大標(biāo)稱電流和阻性負(fù)載條件下的功耗值，以便于用戶自己確定散熱器尺寸時(shí)做參考。在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：（1）軸流風(fēng)機(jī)風(fēng)速應(yīng)≥6m/s。（2）若模塊達(dá)不到滿負(fù)荷工作，可酌減散熱器長度。（3）在設(shè)備開機(jī)前，應(yīng)檢查模塊所有螺釘是否牢固，若有松動(dòng)，應(yīng)擰緊螺釘，以使模塊底板與散熱器表面以及模塊電極與接線端子之間都能夠緊密接觸，達(dá)到比較好散熱效果。（4）采用自然冷卻形式時(shí)，必須保證散熱器周圍的空氣能夠自然對(duì)流。（5）因水冷散熱效果好，有水冷條件的，應(yīng)優(yōu)先水冷散熱形式。聊城MTAC75晶閘管智能模塊供應(yīng)商正高電氣以發(fā)展求壯大，就一定會(huì)贏得更好的明天。

    直流電壓波形應(yīng)該幾乎全放開（A≈0°），6個(gè)波頭都全在，若中頻電源為380V輸入，此時(shí)的直流電壓表應(yīng)為指示在520V左右。再把面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至**小，直流電壓波形幾乎全關(guān)閉，此時(shí)的α角約為120度。輸出直流波形在整個(gè)移相范圍內(nèi)應(yīng)該是連續(xù)平滑的。若在調(diào)試中，發(fā)現(xiàn)不出來6個(gè)整流波頭，則應(yīng)檢查6只整流晶閘管的序號(hào)是否接對(duì)，晶閘管的門級(jí)線是否接反或短路。在此過程調(diào)試中也檢查了面板上的“給定”電位器是否接反，接反了則會(huì)出現(xiàn)直流電壓幾乎為比較大，只有把“給定”電位器順時(shí)針旋到頭時(shí)，直流電壓才會(huì)減小的現(xiàn)象。在停電狀態(tài)下，把逆變橋接入，使逆變觸發(fā)脈沖投入，去掉整流橋口的電阻性負(fù)載。把電路板上的VF微調(diào)電位器W2順時(shí)針旋至比較**，（調(diào)試過程發(fā)生逆變過壓時(shí)，可以提供過壓保護(hù)）。主控板上的DIP-1開關(guān)撥在ON位置，面板上的“給定”電位器逆時(shí)旋至**小。上電數(shù)秒鐘后，把面板上的“給定”電位器順時(shí)針慢慢地旋大，這時(shí)逆變橋會(huì)出現(xiàn)兩種工作狀態(tài)，一種是逆變橋起振，另一種是逆變橋直通。此時(shí)需要的是逆變橋直通，若逆變橋?yàn)槠鹫駹顟B(tài)，可在停電的狀態(tài)下，調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)一下，就不會(huì)起振了。

    晶閘管調(diào)光電路主電路部分由二極管V5、V6和晶閘管V8、V9構(gòu)成單相半控橋式整流電路，其輸出的直流可調(diào)電壓作為燈泡EL的電源。改變V8、V9控制極脈沖電壓的相位，即改變V8、V9控制角的大小，便可以改變輸出直流電壓的大小，進(jìn)而改變燈泡EL的亮度?？刂齐娐酚蓡谓Y(jié)晶體管觸發(fā)電路構(gòu)成，其作用是為V8、V9的控制極提供觸發(fā)脈沖電壓。調(diào)節(jié)電位器RP的大小可改變觸發(fā)脈沖的相位。脈沖形成是梯形同步電壓，經(jīng)RP、R3對(duì)C充電，C兩端電壓上升到單結(jié)晶體管峰點(diǎn)電壓Up時(shí)，單結(jié)晶體管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，由電容C通過e—b，、R5放電。放電電流在電阻R5上產(chǎn)生一組尖頂脈沖電壓，由R5輸出一組觸發(fā)脈沖，其中個(gè)脈沖使晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通，后面的脈沖對(duì)晶閘管的工作沒有影響。隨著C的放電，當(dāng)電容兩端電壓下降至單結(jié)晶體管谷點(diǎn)電壓Uv時(shí)，單結(jié)晶體管重新截止；電容C重新充電，重復(fù)上述過程，R5上又輸出一組尖頂脈沖電壓，這個(gè)過程反復(fù)進(jìn)行。當(dāng)梯形電壓過零點(diǎn)時(shí)，電容C兩端電壓也為零，因此電容每一次連續(xù)充放電的起點(diǎn)，就是電源電壓過零點(diǎn)，這樣就保證輸出脈沖電壓頻率和電源頻率同步。三、工具與測(cè)量儀表及電路元件明細(xì)表電路元件明細(xì)表晶閘管調(diào)光電路的元件明細(xì)表如表12—1所示。四、安裝與調(diào)試。正高電氣以顧客為本，誠信服務(wù)為經(jīng)營理念。

    普通晶閘管普通晶閘管（SCR）是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的三端半導(dǎo)體器件，三個(gè)引出端分另為陽極A、陰極K和門極G、圖8-4是其電路圖形符號(hào)。普通晶閘管的陽極與陰極之間具有單向?qū)щ姷男阅?，其?nèi)部可以等效為由一只PNP晶閘管和一只NPN晶閘管組成的組合管，如圖8-5所示。當(dāng)晶閘管反向連接（即A極接電源負(fù)端，K極接電源正端）時(shí)，無論門極G所加電壓是什么極性，晶閘管均處于阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管正向連接（即A極接電源正端，K極接電源負(fù)端）時(shí)，若門極G所加觸發(fā)電壓為負(fù)時(shí)，則晶閘管也不導(dǎo)通，只有其門極G加上適當(dāng)?shù)恼蛴|發(fā)電壓時(shí)，晶閘管才能由阻斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，晶閘管陽極A極與陰極K極之間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，A、K極之間壓降約為1V。普通晶閘管受觸發(fā)導(dǎo)通后，其門極G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，晶閘管將維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓撤除或陽極A、陰極K之間電壓極性發(fā)生改變（如交流過零）時(shí)，普通晶閘管才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻阻斷狀態(tài)。普通晶閘管一旦阻斷，即使其陽極A與陰極K之間又重新加上正向電壓，仍需在門極G和陰極K之間重新加上正向觸發(fā)電壓后方可導(dǎo)通。普通晶閘管的導(dǎo)通與阻斷狀態(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合和斷開狀態(tài)。正高電氣交通便利，地理位置優(yōu)越。聊城MTAC75晶閘管智能模塊供應(yīng)商

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    電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對(duì)過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管模塊是很危險(xiǎn)的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓例如，交流開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉速度越快過電壓越高。威海MTDC30晶閘管智能模塊品牌

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