本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法。為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，吸熱體由基材及設(shè)置在基材的外表面上膜層構(gòu)成。遼寧AM0太陽(yáng)光譜模擬AM1.5

步驟2)中，靶材為銅靶，功率為7kw，電壓為520v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為320sccm，制得的低發(fā)射率膜的厚度為200nm；3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；步驟3)中，靶材為鉻靶，功率為7kw，電壓為420v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為240sccm，氮?dú)饬髁繛?3sccm，制得的緩沖膜的厚度為90nm；浙江購(gòu)買太陽(yáng)光譜模擬低價(jià)在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻。

為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時(shí)，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體，相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進(jìn)行。相反地，如果通入過(guò)量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，也會(huì)在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。因此，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問(wèn)題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

該儀器能夠快速顯示實(shí)時(shí)光譜，因此有可能找到具有***多普勒頻移的望遠(yuǎn)鏡位置，同時(shí)在這些位置記錄更長(zhǎng)的曝光光譜，提高信噪比。下圖所示的鐵譜線相隔約5pm，因?yàn)檫@些光譜不是在太陽(yáng)圓盤的末端拍攝的。太陽(yáng)自轉(zhuǎn)引起的兩條夫瑯和費(fèi)鐵線（相對(duì)于未移動(dòng)的氧線）多普勒頻移的測(cè)量。在左邊的圖表中，紅色和藍(lán)色的線是HF-8989-3光譜儀的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，當(dāng)時(shí)太陽(yáng)圓盤的圖像通過(guò)輸入光纖移動(dòng)到光譜儀（從一個(gè)邊緣到另一個(gè)邊緣）。每個(gè)實(shí)驗(yàn)光譜的曝光時(shí)間<1秒。膜層包括6層，從下到上依次為氧化鉻材質(zhì)的強(qiáng)化膜。

可選地，根據(jù)拍攝時(shí)刻和地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)時(shí)角，包括：根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)計(jì)算太陽(yáng)時(shí)角，其中，t為拍攝時(shí)刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)時(shí)角?？蛇x地，根據(jù)太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)高度角，包括：根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)]，計(jì)算太陽(yáng)高度角α(x，y，d，t)。可選地，根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，包括：根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。因?yàn)椴煌镔|(zhì)被離子擊出的濺擊產(chǎn)額不同，因此不容易控制化合物的成份組成與性質(zhì)。河北AM1.5太陽(yáng)光譜模擬公司

制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。遼寧AM0太陽(yáng)光譜模擬AM1.5

第五計(jì)算單元325，用于根據(jù)太陽(yáng)高度角和所述拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量；第六計(jì)算單元326，用于根據(jù)相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計(jì)算散射輻射大氣透明度系數(shù)；第七計(jì)算單元327，用于根據(jù)大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽(yáng)輻射強(qiáng)度、所述直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽(yáng)高度角，計(jì)算所述太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度；第八計(jì)算單元328，用于根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽(yáng)高度角，計(jì)算太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度。需要說(shuō)明的是，裝置部分的實(shí)施例方式與方法部分的實(shí)施例方式對(duì)應(yīng)類似，具體細(xì)節(jié)請(qǐng)參照方法實(shí)施例部分，在此不再贅述。遼寧AM0太陽(yáng)光譜模擬AM1.5

昊躍光學(xué)科技（蘇州）有限公司主要經(jīng)營(yíng)范圍是電子元器件，擁有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)和良好的市場(chǎng)口碑。公司業(yè)務(wù)涵蓋天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡等，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務(wù)為理念，秉持誠(chéng)信為本的理念，打造電子元器件良好品牌。昊躍光學(xué)秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念，全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。