針對(duì)自研的太陽光譜輻照度計(jì)入射光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特征,分析了引入余弦誤差的因素,研究了直、漫射輻照度以及漫射-總輻射比的余弦校正方法,開展了實(shí)驗(yàn)室余弦響應(yīng)特性測(cè)量和多種儀器的敦煌外場(chǎng)比對(duì)試驗(yàn).結(jié)果顯示,余弦誤差與積分球入口黑色陽極化內(nèi)壁及結(jié)構(gòu)有關(guān),在入射角為60°時(shí),440nm、500nm、670nm和870nm波段太陽光譜輻照度計(jì)的余弦誤差為4.3%~9.1%;由太陽光譜輻照度計(jì)獲取的直射輻照度反演得到的大氣光學(xué)厚度受到余弦誤差的嚴(yán)重影響,余弦校正前后與CE318太陽光度計(jì)反演結(jié)果相比,偏差分別為0.11~0.13和小于0.012;基于天空輻亮度各向同性分布假設(shè),余弦校正后四個(gè)波段漫射輻照度數(shù)值提升6.8%~10%.基于天空輻亮度分布數(shù)據(jù),提出了一種漫射輻照度的精確校正方法,仿真結(jié)果顯示,余弦校正后的漫射輻照度與理論數(shù)據(jù)一致,初步驗(yàn)證了該方法的可行性.這一新設(shè)備利用了聚光光伏(CPV)電池板，利用透鏡將太陽光集中到微小尺度的太陽能電池上。上海下打光太陽光譜模擬濾光片

經(jīng)檢測(cè)，本實(shí)施例1制備的膜層的吸收率為94％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的吸收率提高了3％～9％；本申請(qǐng)制備的膜層的發(fā)射率為4％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的發(fā)射率降低了3％～12％；膜層的附著力根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求測(cè)試，結(jié)果為1級(jí)；采用本申請(qǐng)制備的膜層的太陽能集熱器的熱效率為80.4％，比采用現(xiàn)有技術(shù)中膜層的太陽能集熱器的熱效率提高了6％～8.4％。本發(fā)明未詳盡描述的方法和裝置均為現(xiàn)有技術(shù)，不再贅述。本文中應(yīng)用了具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其**思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。黑龍江下打光太陽光譜模擬購買首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見于紅外激光器和光電探測(cè)器等應(yīng)用之中。

可選地，根據(jù)相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計(jì)算散射輻射大氣透明度系數(shù)，包括：根據(jù)τd(α，z)＝0.56×(e-0.56r(α，z)+e-0.096r(α，z))×k1，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，其中，τd(α，z)為直射輻射大氣透明度系數(shù)，k1為常系數(shù)，取值范圍通常為0.8≤k1≤0.9；根據(jù)τs(α，z)＝0.2710-0.2939×τd(α，z)，其中，τs(α，z)為散射輻射大氣透明度系數(shù)。可選地，根據(jù)大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽輻射強(qiáng)度、直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計(jì)算太陽直接輻射強(qiáng)度，包括：根據(jù)ed(d，α，z)＝e(d)×τd(α，z)×sinα(x，y，d，t)計(jì)算太陽直接輻射強(qiáng)度ed(d，α，z)。

推薦的，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮?dú)饬髁繛?0～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。推薦的，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮?dú)饬髁繛?0～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。推薦的，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。推薦的，步驟6)中，靶材為硅靶，氬氣流量為50～500sccm，氧氣流量為50～200sccm，制得的抗反射膜的厚度為60～200nm。推薦的，步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片、鋁板或銅板。雖然所用的材料花費(fèi)很大，但用于制造這種電池的技術(shù)很有前途。

這發(fā)生在太陽大氣層的外層（夫瑯和費(fèi)線），或通過地球大氣層內(nèi)的吸收（由水蒸氣或氧氣等氣體引起的大氣吸收譜線）。每個(gè)單獨(dú)的條紋由標(biāo)準(zhǔn)具或VIPA的一個(gè)FSR隔開。標(biāo)準(zhǔn)具FSR由其制造工藝精確確定，這意味著將原始條紋圖像與現(xiàn)有文獻(xiàn)中的太陽光譜進(jìn)行比較，即可得到相應(yīng)的太陽光譜。HN-9332光譜儀在518nm附近記錄的太陽極光光譜顯示了太陽外層的Mg三重態(tài)吸收(除了所示的Mg線和Fe線之外，在太陽光譜的這個(gè)區(qū)域也有一些Ni吸收線）。比較LightMachineryHF-8989-2e光譜儀記錄的太陽光譜（紅色數(shù)據(jù)）和參考光譜（藍(lán)色數(shù)據(jù)）這一新設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換太陽光為電力的效率是44.5%，有望成為世界上效率的太陽能電池。山西上打光太陽光譜模擬AM1

反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材。上海下打光太陽光譜模擬濾光片

可選地，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻及拍攝位置高程，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽直接輻射強(qiáng)度和太陽散射輻射強(qiáng)度，包括：根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度；根據(jù)拍攝日期，計(jì)算拍攝日期對(duì)應(yīng)的太陽赤緯角及大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽輻射強(qiáng)度；根據(jù)拍攝時(shí)刻和地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽時(shí)角；根據(jù)太陽赤緯角、太陽時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽高度角；根據(jù)太陽高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量；根據(jù)相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計(jì)算散射輻射大氣透明度系數(shù)；根據(jù)大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽輻射強(qiáng)度、直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計(jì)算太陽直接輻射強(qiáng)度；根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計(jì)算太陽散射輻射強(qiáng)度。上海下打光太陽光譜模擬濾光片

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