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來源: 發(fā)布時間:2023-01-16

反應性濺鍍制備緩沖膜:在第三真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發(fā)生化學反應生成氮化鉻,反應生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜;4)反應性濺鍍制備過渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發(fā)生化學反應生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻,反應生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜;5)反應性濺鍍制備吸收膜:在第五真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應生成氧化鉻,反應生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜;對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例。山西生產太陽光譜模擬公司

近年來,中國科學院寧波材料技術與工程研究所功能薄膜與智構器件團隊聚焦新型金屬陶瓷基太陽光譜選擇性吸收涂層研發(fā),以提升熱穩(wěn)定性為抓手,在新型耐高溫金屬陶瓷材料設計、光學模擬、涂層構筑和熱穩(wěn)定性強化機理研究等方面開展了一系列的工作。前期,利用金屬Al合金化Ag納米粒子,結合多靶共濺射的方法,獲得新型AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜,耐熱溫度較Ag-Al2O3(350℃)提高至500℃,在非真空條件下經高溫長時間退火(~1000 h),光學性能非常穩(wěn)定(ACS Applied Materials Interfaces 2014, 6, 11550; Applied Surface Science 2015, 331, 285)。海南太陽光譜模擬價格這一新設備利用了聚光光伏(CPV)電池板,利用透鏡將太陽光集中到微小尺度的太陽能電池上。

2)濺鍍制備低發(fā)射率膜:在第二真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜;3)反應性濺鍍制備緩沖膜:在第三真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發(fā)生化學反應生成氮化鉻,反應生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜;4)反應性濺鍍制備過渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發(fā)生化學反應生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻,反應生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜;

推薦的,步驟3)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氮氣流量為10~100sccm,制得的緩沖膜的厚度為30~150nm。推薦的,步驟4)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~500sccm,氮氣流量為10~200sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的過渡膜的厚度為30~100nm。推薦的,步驟5)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的吸收膜的厚度為30~120nm。推薦的,步驟6)中,靶材為硅靶,氬氣流量為50~500sccm,氧氣流量為50~200sccm,制得的抗反射膜的厚度為60~200nm。推薦的,步驟1)中,吸熱體的基材為不銹鋼片、鋁板或銅板。為了得到高質量的化合物薄膜,通常在濺鍍金屬靶時,通入與被濺射出的物質反應的氣體。

厚度為0.1~2μm的薄層金屬氧化物或硫化物,如氧化銅、氧化鉻等,具有很高的太陽輻射吸收比和長波輻射透射比。6層構成的膜層的緩沖膜、過渡膜、吸收膜的主要成分是氧化鉻等氧化物,能夠吸收波長范圍為0.20~3.0μm的太陽輻射能量并轉化為熱能。本申請實現(xiàn)了用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的吸收率高、發(fā)射率低以及附著力好,其中的工作原理是:在2500nm波長以下的太陽光反射光譜,反射率越低,吸收率越高,相反的,在2500nm波長以上的太陽光反射光譜,反射率越高,發(fā)射率越低;對基材表面作預處理,增加吸熱體表面粗超度,能有效增強附著力,根據(jù)標準要求測試,結果為1級。通過降低成本和回收利用這些生長基底,未來類似的產品可能將被推向市場。遼寧高級太陽光譜模擬

在第五真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應生成氧化鉻。山西生產太陽光譜模擬公司

可選地,根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像尺寸、地理經度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻及拍攝位置高程,計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像拍攝位置的太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度,包括:根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像尺寸、地理經度區(qū)間、地理緯度區(qū)間,計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像中每個像素對應的地理經度和地理緯度;根據(jù)拍攝日期,計算拍攝日期對應的太陽赤緯角及大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度;根據(jù)拍攝時刻和地理經度,計算拍攝時刻的太陽時角;根據(jù)太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度,計算拍攝時刻的太陽高度角;根據(jù)太陽高度角和拍攝位置高程,計算相對大氣光學質量;根據(jù)相對大氣光學質量,計算直射輻射大氣透明度系數(shù),并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù),計算散射輻射大氣透明度系數(shù);根據(jù)大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度、直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角,計算太陽直接輻射強度;根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角,計算太陽散射輻射強度。山西生產太陽光譜模擬公司

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