設(shè)備軟件：1.中英文軟件界面，三級(jí)操作權(quán)限，各級(jí)操作權(quán)限可自由設(shè)定力值單位Kg、g、N，可根據(jù)測(cè)試需要進(jìn)行選擇。2.軟件可實(shí)時(shí)輸出測(cè)試結(jié)果的直方圖、力值曲線，測(cè)試數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)保存與導(dǎo)出功能，測(cè)試數(shù)據(jù)并可實(shí)時(shí)連接MES系統(tǒng)軟件可設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)值并直接輸出測(cè)試結(jié)果并自動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行判定。3.SPC數(shù)據(jù)導(dǎo)出自帶當(dāng)前導(dǎo)出數(shù)據(jù)值、較小值、平均值及CPK計(jì)算。傳感器精度：傳感器精度±0.003％；綜合測(cè)試精度±0.25％測(cè)試傳感器量程自動(dòng)切換。測(cè)試精度：多點(diǎn)位線性精度校正，并用標(biāo)準(zhǔn)法碼進(jìn)行重復(fù)性測(cè)試，保證傳感器測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。軟件參數(shù)設(shè)置：根據(jù)各級(jí)權(quán)限可對(duì)合格力值、剪切高度、測(cè)試速度等參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)。測(cè)試平臺(tái)：真空360度自由旋轉(zhuǎn)測(cè)試平臺(tái)，適應(yīng)于各種材料測(cè)試需求，只需要更換相應(yīng)的治具或壓板，即可輕松實(shí)現(xiàn)多種材料的測(cè)試需求。芯片測(cè)試機(jī)可用于快速排除芯片制造中的錯(cuò)誤。湖北平移式芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)

當(dāng)芯片測(cè)試機(jī)啟動(dòng)后，移載裝置20移動(dòng)至自動(dòng)上料裝置40的上方，然后移載裝置20向下移動(dòng)吸取自動(dòng)上料裝置40位于較上方的tray盤中的芯片，將并該芯片移載至測(cè)試裝置30對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試。s3：芯片測(cè)試完成后，移載裝置20將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置50的空tray盤中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)60的空tray盤中。芯片測(cè)試完成后，該芯片可能是合格品，也可能是不良品。若該芯片為合格品，則通過(guò)移載裝置20將該合格芯片移載至自動(dòng)下料機(jī)的tray盤中放置；若該芯片為不良品，則將該不良品移載至不良品放置臺(tái)60的tray盤中放置。江蘇晶圓芯片測(cè)試機(jī)廠家芯片測(cè)試機(jī)為從事集成電路設(shè)計(jì)的工程師提供了便捷的測(cè)試手段。

x軸移動(dòng)組件22包括x軸伺服電缸220、x軸拖鏈221，x軸伺服電機(jī)、x軸拖鏈221分別固定于y軸移動(dòng)底板213上，頭一z軸移動(dòng)組件23和第二z軸移動(dòng)組件24均與x軸伺服電機(jī)和x軸拖鏈221相連。頭一z軸移動(dòng)組件23包括滑臺(tái)氣缸230、雙桿氣缸231、吸嘴基板232、氣缸固定座233，吸嘴基板232與x軸移動(dòng)相連，滑臺(tái)氣缸230固定于吸嘴基板232上，氣缸固定座233與滑臺(tái)氣缸230相連，雙桿氣缸231固定于氣缸固定座233上。真空吸盤25與雙桿氣缸231相連。滑臺(tái)氣缸230移動(dòng)時(shí)，帶動(dòng)氣缸固定板相連，氣缸固定座233帶動(dòng)雙桿氣缸231移動(dòng)，雙桿氣缸231可驅(qū)動(dòng)真空吸盤25移動(dòng)，從而帶動(dòng)真空吸盤25向上或向下移動(dòng)。

以下是芯片芯片測(cè)試流程解析：在必備原材料的采集工作完畢之后，這些原材料中的一部分需要進(jìn)行一些預(yù)處理工作。作為Z主要的原料，硅的處理工作至關(guān)重要。首先，硅原料要進(jìn)行化學(xué)提純，這一步驟使其達(dá)到可供半導(dǎo)體工業(yè)使用的原料級(jí)別。為了使這些硅原料能夠滿足芯片制造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過(guò)溶化硅原料，然后將液態(tài)硅注入大型高溫石英容器來(lái)完成的。而后，將原料進(jìn)行高溫溶化為了達(dá)到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行鐘控測(cè)試，用于測(cè)量邏輯門延時(shí)。

常見(jiàn)的測(cè)試手段，CP（Chip Probing）測(cè)試和FT（Final Test）測(cè)試：CP測(cè)試。芯片測(cè)試分兩個(gè)階段，一個(gè)是CP（Chip Probing）測(cè)試，也就是晶圓（Wafer）測(cè)試。另外一個(gè)是FT（Final Test）測(cè)試，也就是把芯片封裝好再進(jìn)行的測(cè)試。CP（Chip Probing）指的是晶圓測(cè)試。CP測(cè)試在整個(gè)芯片制作流程中處于晶圓制造和封裝之間。晶圓（Wafer）制作完成之后，成千上萬(wàn)的裸DIE（未封裝的芯片）規(guī)則的分布滿整個(gè)Wafer。由于尚未進(jìn)行劃片封裝，芯片的管腳全部裸露在外，這些極微小的管腳需要通過(guò)更細(xì)的探針臺(tái)來(lái)與測(cè)試機(jī)臺(tái)連接。芯片測(cè)試機(jī)可以檢測(cè)芯片的電學(xué)參數(shù)，包括電流和電壓等。湖北Prober芯片測(cè)試機(jī)怎么樣

芯片測(cè)試機(jī)可以檢測(cè)到芯片中的誤差。湖北平移式芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)

測(cè)試系統(tǒng)的基本工作機(jī)制：對(duì)測(cè)試機(jī)進(jìn)行編寫程序，從而使得測(cè)試機(jī)產(chǎn)生任何類型的信號(hào)，多個(gè)信號(hào)一起組成測(cè)試模式或測(cè)試向量，在時(shí)間軸的某一點(diǎn)上向DUT施加一個(gè)測(cè)試向量，將DUT產(chǎn)生的輸出反饋輸入測(cè)試機(jī)的儀器中測(cè)量其參數(shù)，把測(cè)量結(jié)果與存儲(chǔ)在測(cè)試機(jī)中的“編程值”進(jìn)行比較，如果測(cè)量結(jié)果在可接受公差范圍內(nèi)匹配測(cè)試機(jī)中的“編程值”，那么這顆DUT就會(huì)被認(rèn)為是好品，反之則是壞品，按照其失效的種類進(jìn)行記錄。晶圓測(cè)試(wafer test,或者CP-chip probering)：就是在晶圓上直接進(jìn)行測(cè)試，下面圖中就是一個(gè)完整的晶圓測(cè)試自動(dòng)化系統(tǒng)。湖北平移式芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)