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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2020-10-09

各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽(yáng)極)器件,其器件電流由伏安特性決定,除了改變加在二端間的電壓外,無(wú)法控制其陽(yáng)極電流,故稱(chēng)不可控器件。普通晶閘管是三端器件,其門(mén)極信號(hào)能控制元件的導(dǎo)通,但不能控制其關(guān)斷,稱(chēng)半控型器件??申P(guān)斷晶閘管、功率晶體管等器件,其門(mén)極信號(hào)既能控制器件的導(dǎo)通,又能控制其關(guān)斷,稱(chēng)全控型器件。后兩類(lèi)器件控制靈活,電路簡(jiǎn)單,開(kāi)關(guān)速度快,廣fan應(yīng)用于整流、逆變、斬波電路中,是電動(dòng)機(jī)調(diào)速、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁、感應(yīng)加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件。這些器件構(gòu)成裝置不jin體積小、工作可靠,而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%~40%)。電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。新吳區(qū)正規(guī)電子元件銷(xiāo)售源頭好貨

電力二極管:結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單,工作可靠; 晶閘管:承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT:開(kāi)關(guān)速度高,開(kāi)關(guān)損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態(tài)壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)功率??;缺點(diǎn):開(kāi)關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,電流容量不及GTO GTR:耐壓高,電流大,開(kāi)關(guān)特性好,通流能力強(qiáng),飽和壓降低;缺點(diǎn):開(kāi)關(guān)速度低,為電流驅(qū)動(dòng),所需驅(qū)動(dòng)功率大,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,存在二次擊穿問(wèn)題 GTO:電壓、電流容量大,適用于大功率場(chǎng)合,具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),其通流能力很強(qiáng);缺點(diǎn):電流關(guān)斷增益很小,關(guān)斷時(shí)門(mén)極負(fù)脈沖電流大,開(kāi)關(guān)速度低,驅(qū)動(dòng)功率大,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,開(kāi)關(guān)頻率低 電力MOSFET:開(kāi)關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,工作頻率高,不存在二次擊穿問(wèn)題;缺點(diǎn):電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置。 制約因素:耐壓,電流容量,開(kāi)關(guān)的速度金壇區(qū)口碑好的電子元件銷(xiāo)售推薦貨源20世紀(jì)50年代,電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。

從60年代到70年代初期,以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,主要用于相控電路。這些電路十分廣fan地用在電解、電鍍、直流電機(jī)傳動(dòng)、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁等整流裝置中,與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比,不jin體積小、工作可靠,而且取得了十分明顯的節(jié)能效果(一般可節(jié)電10~40%,從中國(guó)的實(shí)際看,因風(fēng)機(jī)和泵類(lèi)負(fù)載約占全國(guó)用電量的1/3,若采用交流電動(dòng)機(jī)調(diào)速傳動(dòng), 可平均節(jié)電20%以上,每年可節(jié)電400億千瓦時(shí)),因此電力電子技術(shù)的發(fā)展也越來(lái)越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關(guān)斷晶閘管和功率晶體管,開(kāi)關(guān)速度快,控制簡(jiǎn)單,逆導(dǎo)可關(guān)斷晶閘管更兼容了可關(guān)斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術(shù)的應(yīng)用推進(jìn)到了以逆變、斬波為中心內(nèi)容的新領(lǐng)域。這些器件已普遍應(yīng)用于變頻調(diào)速、開(kāi)關(guān)電源、靜止變頻等電力電子裝置中。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類(lèi): 1.半控型器件,例如晶閘管; 2.全控型器件,例如GTO(門(mén)極可關(guān)斷晶閘管)、GTR(電力晶體管),Power MOSFET(電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管); 3.不可控器件,例如電力二極管。 按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)分類(lèi): 1.電壓驅(qū)動(dòng)型器件,例如IGBT、Power MOSFET、SITH(靜電感應(yīng)晶閘管); 2.電流驅(qū)動(dòng)型器件,例如晶閘管、GTO、GTR。 根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類(lèi): 1.脈沖觸發(fā)型,例如晶閘管、GTO; 2.電子控制型,例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類(lèi): 1.雙極型器件,例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR; 2.單極型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢(shì)壘二極管; 3.復(fù)合型器件,例如MCT(MOS控制晶閘管)、IGBT、SITH和IGCT。進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲(chǔ)存效應(yīng)的影響。

為了保持電子元件運(yùn)作的穩(wěn)定性,通常將它們以合成樹(shù)脂(Resin dispensing)包覆封裝,以提高絕緣與保護(hù)不受環(huán)境的影響。?[1]? 元件也許是被動(dòng)或有源的(passive or active):被動(dòng)元件(Passive components)是一種電子元件,在使用時(shí)它們沒(méi)有任何的增益或方向性。在電路分析(Network analysis)時(shí),它們被稱(chēng)為電力元件(Electrical elements)。 有源元件(Active components)是一種電子元件,相對(duì)于被動(dòng)元件所沒(méi)有的,在使用時(shí)它們有增益或方向性。它們包括了半導(dǎo)體器件與真空管。 端子與連接器:用于電路連接的裝置 端子(Terminal): 電子連接器(Connector):(Closed)、信號(hào)插座(Socket)、端子臺(tái)(Screw terminal, Terminal Blocks)、信號(hào)接頭(Header)。電子元件是電子電路中的基本元素。江蘇科技化電子元件銷(xiāo)售網(wǎng)上價(jià)格

電子元件的元件分類(lèi):端子與連接器。新吳區(qū)正規(guī)電子元件銷(xiāo)售源頭好貨

20世紀(jì)50年代,電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來(lái)的晶閘管,因其工作可靠、壽命長(zhǎng)、體積小、開(kāi)關(guān)速度快,而在電力電子電路中得到廣fan應(yīng)用。70年代初期,已逐步取代了汞弧閘流管。80年代,普通晶閘管的開(kāi)關(guān)電流已達(dá)數(shù)千安,能承受的正、反向工作電壓達(dá)數(shù)千伏。在此基礎(chǔ)上,為適應(yīng)電力電子技術(shù)發(fā)展的需要,又開(kāi)發(fā)出門(mén)極可關(guān)斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管等一系列派生器件,以及單極型MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應(yīng)晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。新吳區(qū)正規(guī)電子元件銷(xiāo)售源頭好貨

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