單個(gè)電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。因此，由單個(gè)電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實(shí)用中多用幾個(gè)電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時(shí)，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯(lián)時(shí)則希望各元件能分擔(dān)同樣的電流。但由于器件的個(gè)異性，串、并聯(lián)時(shí)，各器件并不能完全均勻地分擔(dān)電壓和電流。所以，在電力電子器件串聯(lián)時(shí)，要采取均壓措施；在并聯(lián)時(shí)，要采取均流措施。 電力電子器件工作時(shí)，會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此，必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風(fēng)冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。電子元件的元件分類：電線與開關(guān)。江陰環(huán)保電子器件銷售商城

為了保持電子元件運(yùn)作的穩(wěn)定性，通常將它們以合成樹脂（Resin dispensing）包覆封裝，以提高絕緣與保護(hù)不受環(huán)境的影響。?[1]? 元件也許是被動(dòng)或有源的（passive or active）：被動(dòng)元件（Passive components）是一種電子元件，在使用時(shí)它們沒有任何的增益或方向性。在電路分析（Network analysis）時(shí)，它們被稱為電力元件（Electrical elements）。 有源元件（Active components）是一種電子元件，相對于被動(dòng)元件所沒有的，在使用時(shí)它們有增益或方向性。它們包括了半導(dǎo)體器件與真空管。 端子與連接器：用于電路連接的裝置 端子（Terminal）： 電子連接器（Connector）：（Closed）、信號插座（Socket）、端子臺（Screw terminal, Terminal Blocks）、信號接頭（Header）。惠山區(qū)電子器件銷售價(jià)格實(shí)惠按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件，例如晶閘管； 2.全控型器件，例如GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）； 3.不可控器件，例如電力二極管。 按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)分類： 1.電壓驅(qū)動(dòng)型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）； 2.電流驅(qū)動(dòng)型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。 根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發(fā)型，例如晶閘管、GTO； 2.電子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類： 1.雙極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR； 2.單極型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管； 3.復(fù)合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT、SITH和IGCT。

電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡單，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)功率?。蝗秉c(diǎn)：開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低；缺點(diǎn)：開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動(dòng)，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，存在二次擊穿問題 GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng)；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時(shí)門極負(fù)脈沖電流大，開關(guān)速度低，驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低 電力MOSFET：開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題；缺點(diǎn)：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素：耐壓，電流容量，開關(guān)的速度電子元件是電子電路中的基本元素。

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件，推動(dòng)電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn)，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應(yīng)晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時(shí)必須在門極周圍先導(dǎo)通然后逐步橫向擴(kuò)展的過程，所以比一般晶閘管有更高的開關(guān)速度，而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高。這些新器件，在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求。80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級。梁溪區(qū)口碑好的電子器件銷售生產(chǎn)廠家

電力電子器件的優(yōu)缺點(diǎn)。江陰環(huán)保電子器件銷售商城

事實(shí)表明，無論是電力、機(jī)械、礦冶、交通、石油、能源、化工、輕紡等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，還是通信、激光、機(jī)器人、環(huán)保、原子能、航天等高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，都迫切需要高質(zhì)量、高效率的電能。而電力電子正是將各種一次能源高效率地變?yōu)槿藗兯璧碾娔?，?shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保和提高人民生活質(zhì)量的重要手段，它已經(jīng)成為弱電控制與強(qiáng)電運(yùn)行之間、信息技術(shù)與先進(jìn)制造技術(shù)之間、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化、智能化改造和興建高科技產(chǎn)業(yè)之間不可缺少的重要橋梁。而新型電力電子器件的出現(xiàn)，總是帶來一場電力電子技術(shù)的**。電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟，它對裝置的總價(jià)值，尺寸、重量、動(dòng)態(tài)性能，過載能力，耐用性及可靠性等，起著十分重要的作用。江陰環(huán)保電子器件銷售商城

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