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來源: 發(fā)布時間:2020-08-04

進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應晶體管, 由于不受少子儲存效應的限制,能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性,不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象;需要擴大電流容量時,器件并聯(lián)簡單,且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動功率;在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大,制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達數(shù)十安,阻斷電壓近千伏。按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類。鐘樓區(qū)科技化電子元件銷售值得推薦

20世紀50年代,電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來的晶閘管,因其工作可靠、壽命長、體積小、開關速度快,而在電力電子電路中得到廣fan應用。70年代初期,已逐步取代了汞弧閘流管。80年代,普通晶閘管的開關電流已達數(shù)千安,能承受的正、反向工作電壓達數(shù)千伏。在此基礎上,為適應電力電子技術發(fā)展的需要,又開發(fā)出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件,以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。梁溪區(qū)正規(guī)電子元件銷售歡迎來電電子元件的元件分類:電線與開關。

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達6000安,阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率,取決于器件關斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流子(簡稱少子)的復合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程,卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,其控制電流容量已達數(shù)百安,阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,限制它的抗浪涌能力。

單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,能通過的電流大小也是一定的。因此,由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以,在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件,其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時,希望各元件能承受同樣的正、反向電壓;并聯(lián)時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性,串、并聯(lián)時,各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以,在電力電子器件串聯(lián)時,要采取均壓措施;在并聯(lián)時,要采取均流措施。 電力電子器件工作時,會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命,甚至燒毀,這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此,必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。

電線 有連接口或終端在盡頭的電線:電源線(Power cord);軟線(Patch cord);示波器探棒(Test lead)。 開關 能夠控制電路的開路或閉路的電子元件:開關(Switch) - 手動操作的開關;Keypad- 一群按鈕開關的集he(例如只能輸入數(shù)字的小鍵盤);繼電器(Relay) - 電流操作的開關。它是一種電磁元件,有別于固態(tài)繼電器(Solid State Relay);電磁開關:自動調(diào)溫器(Thermostat) - 溫度致動的開關;斷路器(Circuit Break) -過電流致動的開關;限位開關(Limit Switch) - 機械式的啟動開關;**開關(Mercury Switch);離心開關(Centrifugal Switch)。電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟。新北區(qū)關于電子元件銷售誠信服務

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。鐘樓區(qū)科技化電子元件銷售值得推薦

電力二極管:結構和原理簡單,工作可靠; 晶閘管:承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT:開關速度高,開關損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態(tài)壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅(qū)動,驅(qū)動功率?。蝗秉c:開關速度低于電力MOSFET,電壓,電流容量不及GTO GTR:耐壓高,電流大,開關特性好,通流能力強,飽和壓降低;缺點:開關速度低,為電流驅(qū)動,所需驅(qū)動功率大,驅(qū)動電路復雜,存在二次擊穿問題 GTO:電壓、電流容量大,適用于大功率場合,具有電導調(diào)制效應,其通流能力很強;缺點:電流關斷增益很小,關斷時門極負脈沖電流大,開關速度低,驅(qū)動功率大,驅(qū)動電路復雜,開關頻率低 電力MOSFET:開關速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單,工作頻率高,不存在二次擊穿問題;缺點:電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素:耐壓,電流容量,開關的速度鐘樓區(qū)科技化電子元件銷售值得推薦

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