磁控濺射鍍膜生產(chǎn)ZnO∶Al（AZO）薄膜的工藝探討目前主要的薄膜太陽能電池有：碲化鎘（CdTe）系薄膜太陽能電池、硒銦銅（CIS）系薄膜太陽能電池、非晶硅系薄膜太陽能電池、晶硅系薄膜太陽能電池。研究人員研制出了價格低廉、原材料豐富且性能穩(wěn)定的絨面ZnO∶Al陷光結(jié)構(gòu)來作為薄膜太陽能電池的前電極。具有彈坑狀絨面結(jié)構(gòu)的AZO透明導(dǎo)電薄膜可以增強太陽光的散射作用，改善陷光效果，增加電池對太陽能的吸收量，提高薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。磁控濺射鍍膜工藝在玻璃襯底上制作AZO透明導(dǎo)電薄膜具有成膜速度快、膜層均勻、成膜面積大等優(yōu)點，是較為合適的生產(chǎn)AZO薄膜的工藝方法。目前由磁控濺射工藝生產(chǎn)透明導(dǎo)電薄膜AZO時所用靶材有兩種類型：①陶瓷AZO靶材；②合金鋅鋁靶材。應(yīng)根據(jù)實際情況，選擇適合本企業(yè)的靶材產(chǎn)品。作為一種新的TCO材料，AZO相對于ITO和FTO有很大優(yōu)勢，要大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化還必須在如何降低設(shè)備及工藝成本上進一步研發(fā)。從根本上說，AZO薄膜的結(jié)構(gòu)性能的好壞決定了其光電性能的優(yōu)劣，必須在工藝參數(shù)上多做研究，實現(xiàn)高質(zhì)量和低成本的雙贏。而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。杭州五氧化二鉭靶廠家

有些陰極設(shè)計是與陽極的空隙較小，所以在安裝靶材時需要確保陰極與陽極之間沒有接觸也不能存在導(dǎo)體，否則會產(chǎn)生短路。

請參考設(shè)備商操作手冊中關(guān)于如何正確安裝靶材的相關(guān)信息。在收緊靶材夾具時，請先用手轉(zhuǎn)緊一顆鏍栓，再用手轉(zhuǎn)緊對角線上的另外一顆鏍栓，如此重復(fù)直到安裝上所有鏍栓后，再用工具收緊。七．濺射靶材的制備方法有哪些？濺射靶材是指通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜設(shè)備在適當(dāng)工藝條件下濺射沉積在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。濺射靶材廣泛應(yīng)用于裝飾、工模具、玻璃、電子器件、半導(dǎo)體、磁記錄、平面顯示、太陽能電池等眾多領(lǐng)域，不同領(lǐng)域需要的靶材各不相同。 錳靶費用對于同一種靶材，晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快。

利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對所制備的非晶硅薄膜進行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時間、氬氣氣壓等因素對非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實驗結(jié)果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨濺射功率、濺射時間和濺射氣壓的增加而增大，而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。   對制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時間進行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀，對不同退火溫度的樣品進行晶化程度的表征。實驗結(jié)果表明：不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化，并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生晶化;退火溫度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外，通過拉曼激光誘導(dǎo)晶化，結(jié)果表明：拉曼激光誘導(dǎo)非晶硅晶化為局域晶化，具有晶化速度快的特點;晶化過程中，需要控制激光強度，過強的激光會把非晶硅薄膜燒蝕掉。

NCVM不導(dǎo)電膜是什么，它有哪些特點？ NCVM又稱不連續(xù)鍍膜技術(shù)或不導(dǎo)電電鍍技術(shù)，是一種起緣普通真空電鍍的高新技術(shù)。真空電鍍，簡稱VM，是vacuum metallization的縮寫。它是指金屬材料在真空條件下，運用化學(xué)、物理等特定手段進行有機轉(zhuǎn)換，使金屬轉(zhuǎn)換成粒子，沉積或吸附在塑膠材料的表面，形成膜，也就是我們所謂的鍍膜。真空不導(dǎo)電電鍍，又稱NCVM，是英文Non conductive vacuum metallization的縮寫。它的加工工藝高于普通真空電鍍，其加工制程比普通制程要復(fù)雜得多。 NCVM特點是采用鍍出金屬及絕緣化合物等薄膜，利用各相不連續(xù)之特性，得到外觀有金屬質(zhì)感且不影響到無線通訊傳輸之效果。首先要實現(xiàn)不導(dǎo)電，滿足無線通訊產(chǎn)品的正常使用；其次要保證“金屬質(zhì)感”這一重要的外觀要求；通過UV涂料與鍍膜層結(jié)合，保證產(chǎn)品的物性和耐候性，滿足客戶需求。射靶材應(yīng)用于裝飾、工模具、玻璃、電子器件、半導(dǎo)體、磁記錄、平面顯示、太陽能電池等眾多領(lǐng)域。

PECVD制備氫化非晶硅薄膜本實驗采用單晶硅片為襯底，按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干，然后置于PECVD系統(tǒng)中。樣品制備條件為襯底溫度250℃，工作氣壓120Pa，射頻功率100W，氣體流量SiH4/H2=15/5sccm，沉積時間30min，制備得到a-Si：H薄膜樣品。(1)非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨著濺射功率的增大而增大，膜的均勻性將會變差;(2)非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小，非晶硅薄膜均勻性變好;(3)在0.5Pa至2.0Pa范圍內(nèi)，隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大;(4)隨著濺射時間的增加,膜的厚度成非線性增加，沉積速率開始較快，之后逐漸減慢，膜的表面粗糙度逐漸變大;(5)隨著濺射氣壓的增大，沉積速率有所降低。磁控濺射不起輝的常見原因有哪些，怎么應(yīng)對？杭州五氧化二鉭靶廠家

影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。杭州五氧化二鉭靶廠家

購買靶材的注意事項有哪些許多用戶在采購靶材時沒有從專業(yè)的角度去考慮，下面為大家指出購買靶材時需要注意的事項。

對于所有的金屬來說，純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，靶材的純度對后期產(chǎn)品薄膜的性能影響很大。但是每一個產(chǎn)品對靶材的純度要求也有不相同的地方。

其次就是靶材的雜質(zhì)含量。在經(jīng)過一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因為用處不一樣，所以不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。比如現(xiàn)在的半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。 杭州五氧化二鉭靶廠家

江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設(shè)備七臺，檢驗設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。