電子束鍍膜 Au-T4025 金 靶材 99.99% φ50.8*5mm 磁控濺射鍍膜 Pt-T4034 鉑 靶材 99.99% φ60*4mm 磁控濺射鍍膜 Pd-T3575 鈀 靶材 99.95% φ101.6*5mm 磁控濺射鍍膜 Ag-T4043 銀 靶材 99.99% φ76.2*3mm 磁控濺射鍍膜 Al-T5015 鋁 靶材 99.999% φ50*5mm 磁控濺射鍍膜 Ti-T4543 鈦 靶材 99.995% φ76.2*3mm 磁控濺射鍍膜 Ni-T4562 鎳 靶材 99.995% φ100*2mm 磁控濺射鍍膜 Cr-T4554 鉻 靶材 99.995% φ80*4mm 磁控濺射鍍膜 Si-T4533 硅 靶材 99.995% φ60*3mm 磁控濺射鍍膜 Au-W5004 金 絲 99.999% φ1mm 熱蒸發(fā)鍍膜 Al-W5004 鋁 絲 99.999% φ1mm 熱蒸發(fā)鍍膜 Ag-W4004 銀 絲 99.99% φ1mm 熱蒸發(fā)鍍膜 W-W4011 鍍鉻鎢絲 99.99% φ1*130mm 熱蒸發(fā)鍍膜 Au-W5002 鍵合金絲 φ25μm 500m/軸 耗材配件 W-B35310P 鉬舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 Mo-B35310P 鎢舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 W-B35215Y 蝴蝶型鎢舟 215型 100*15*0.2mm 耗材配件 C-C4013 石墨 坩堝 25cc 尺寸可定制 耗材配件 Cu-C4014 銅 坩堝 30cc 尺寸可定制 耗材配件 W-C3515 鎢 坩堝 40cc 尺寸可定制 耗材配件 Pt-C3511 鉑 坩堝 7cc 尺寸可定制 耗材配件 SiO2-S4001 石英片 10*10*1mm磨邊 表面拋光  耗材配件 G-S4002 GGG襯底5. 永磁靶表面場強是否下降太多？ ---------如果下降太多，需要更換磁鋼。成都鐵酸鉍靶型號

影響磁控靶濺射電壓的主要因素有：靶面磁場、靶材材質(zhì)、氣體壓強、陰-陽極間距等。本文詳細分析這些因素距對靶濺射電壓的影響。   一、 靶面磁場對靶濺射電壓的影響 1. 磁控靶的陰極工作電壓，隨著靶面磁場的增加而降低，也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因為靶的濺射刻蝕槽面會越來越接近靶材后面的磁鋼的強磁場。因此，靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強的磁場中使用。   2. 鐵磁性靶材會對磁控靶的濺射造成影響，由于大部分磁力線從鐵磁性材料內(nèi)部通過，使靶材表面磁場減少，需要很高電壓才能讓靶面點火起輝。除非磁場非常的強，否則磁性材靶材必須比非磁性材料要薄，才能起輝和正常運行(永磁結(jié)構(gòu)的Ni靶的典型值<0.16cm，磁控靶非特殊設(shè)計最大值一般不宜超過3mm，F(xiàn)e，co靶的最大值不超過2mm;電磁結(jié)構(gòu)的靶可以濺射厚一些的靶材，甚至可達6mm厚)才能起輝和正常運行。正常工作時，磁控靶靶材表面的磁場強度為0.025T~0.05T左右;靶材濺射刻蝕即將穿孔時，其靶材表面的磁場強度大為提高，接近或大于0.1T左右。武漢鉑靶反應濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。

磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率   在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來說，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個：一個是提高工作電壓;另一個是適當提高工作氣體壓力。 3、濺射功率與沉積率   一般來說，磁控靶的濺射功率增高時，薄膜的沉積率速率也會變大;這里有一個先決條件，就是：加在磁控靶的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰-陽極間電場中獲得的能量，足以大過靶材的“濺射能量閥值”。

濺射靶材的分類有哪些？

金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物

陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(PbAs)，砷化銦靶材(InAs)。

1. 金屬靶材：

鎳靶、Ni、鈦靶、T濺射靶材i、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、濺射靶材不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。 而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

真空鍍膜機在塑膠行業(yè)的應用  真空鍍膜機應該普遍，在塑料行業(yè)的應該也很普遍。而塑膠在生活，工業(yè)，電器，航空等領(lǐng)域都有涉及。塑膠具有易成型，價格便宜，質(zhì)量輕，防腐蝕等優(yōu)點，但塑膠的缺點也比較突出，其缺點也制約了塑膠的應用范圍，如不美觀、易老化、機械性能差、易碎易變型、耐熱差等。通過真空鍍膜機的應用，使塑膠表面鍍上特定膜層，東莞匯成真空自主研發(fā)生產(chǎn)的蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備將鍍膜機材料和塑膠產(chǎn)呂完美結(jié)合，提高了塑膠制品的物理、化學性能。 一、改善表面硬度，原塑膠表面比金屬軟而易受損害，通過真空鍍膜，硬度及耐磨性增加； 二、使塑料表面有導電性； 三、容易清洗，不吸塵； 四、改善塑膠外觀，表面光滑，金屬感強，色澤光鮮，裝飾性提高。而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。上海碳化硅靶型號

化學反應必須在一個固體表面進行。反應濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進行。成都鐵酸鉍靶型號

非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有較高的電遷移率和穩(wěn)定的光電性能，是制備微電子器件、薄膜晶體管、大面積平板液晶顯示的質(zhì)量材料。多晶硅薄膜被公認為是制備低耗、理想的薄膜太陽能電池的材料。因此，如何制備多晶硅薄膜是一個非常有意義的研究課題。固相法是制備多晶硅薄膜的一種常用方法，它是在高溫退火的條件下，使非晶硅薄膜通過固相相變而成為多晶硅薄膜。本文采用固相法，利用X- ray 衍射及拉曼光譜，對用不同方法制備的非晶硅薄膜的晶化過程進行了系統(tǒng)地研究。   在硅薄膜太陽能電池材料中，非晶硅薄膜太陽能電池制造工藝相對簡單，但是存在光電轉(zhuǎn)換效率低，壽命短，穩(wěn)定性不好，并且存在光致衰退效應(S-W 效應)等缺點。單晶硅薄膜太陽能電池因為制作工藝和制作成本等原因始終得不到推廣，而多晶硅薄膜材料在長波段具有光敏性，能有效的吸收可見光并且具有光照穩(wěn)定性。成都鐵酸鉍靶型號

江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設(shè)備七臺，檢驗設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好。”的發(fā)展理念。