電子束鍍膜 Au-T4025 金 靶材 99.99% φ50.8*5mm 磁控濺射鍍膜 Pt-T4034 鉑 靶材 99.99% φ60*4mm 磁控濺射鍍膜 Pd-T3575 鈀 靶材 99.95% φ101.6*5mm 磁控濺射鍍膜 Ag-T4043 銀 靶材 99.99% φ76.2*3mm 磁控濺射鍍膜 Al-T5015 鋁 靶材 99.999% φ50*5mm 磁控濺射鍍膜 Ti-T4543 鈦 靶材 99.995% φ76.2*3mm 磁控濺射鍍膜 Ni-T4562 鎳 靶材 99.995% φ100*2mm 磁控濺射鍍膜 Cr-T4554 鉻 靶材 99.995% φ80*4mm 磁控濺射鍍膜 Si-T4533 硅 靶材 99.995% φ60*3mm 磁控濺射鍍膜 Au-W5004 金 絲 99.999% φ1mm 熱蒸發(fā)鍍膜 Al-W5004 鋁 絲 99.999% φ1mm 熱蒸發(fā)鍍膜 Ag-W4004 銀 絲 99.99% φ1mm 熱蒸發(fā)鍍膜 W-W4011 鍍鉻鎢絲 99.99% φ1*130mm 熱蒸發(fā)鍍膜 Au-W5002 鍵合金絲 φ25μm 500m/軸 耗材配件 W-B35310P 鉬舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 Mo-B35310P 鎢舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 W-B35215Y 蝴蝶型鎢舟 215型 100*15*0.2mm 耗材配件 C-C4013 石墨 坩堝 25cc 尺寸可定制 耗材配件 Cu-C4014 銅 坩堝 30cc 尺寸可定制 耗材配件 W-C3515 鎢 坩堝 40cc 尺寸可定制 耗材配件 Pt-C3511 鉑 坩堝 7cc 尺寸可定制 耗材配件 SiO2-S4001 石英片 10*10*1mm磨邊 表面拋光  耗材配件 G-S4002 GGG襯底如果不能及時調(diào)整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到***，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋。合肥鎳釩靶圖片

PVD技術簡介PVD技術是在真空中將鈦、金、石墨、水晶等金屬或非金屬、氣體等材料利用濺射、蒸發(fā)或離子鍍等技術，在基材上形成薄膜的一種表面處理過程。與傳統(tǒng)化學鍍膜方法相比，PVD有很多優(yōu)點：如對環(huán)境無污染，是綠色環(huán)保工藝；對操作者無傷害；膜層牢固、致密性好、抗腐蝕性強，膜厚均勻。PVD技術中經(jīng)常使用的方法主要有：蒸發(fā)鍍膜（包括電弧蒸發(fā)、電子蒸發(fā)、電阻絲蒸發(fā)等技術）、濺射鍍膜（包括直流磁控濺射、中頻磁控濺射、射頻濺射等技術），這些方法統(tǒng)稱物相沉積（PhysicalVaporDeposition），簡稱為PVD。行業(yè)內(nèi)通常所說的“IP”（ionplating）離子鍍膜，是因為在PVD技術中各種氣體離子和金屬離子參與成膜過程并起到重要作用，為了強調(diào)離子的作用，而統(tǒng)稱為離子鍍膜。揚州鎳酸鑭靶功能在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。

玫瑰金靶材有哪些？ PVD玫瑰金是靠濺射玫瑰金靶形成的，不同的玫瑰金靶配方顏色上有一些區(qū)別，大概分為以下幾種： 1、皇冠金（crown gold），黃金含量在22K(91.667％)，由英國亨利八世(1526年)將此比例的黃金用于金幣的鑄造 2、常見的也是典型的18K玫瑰金，黃金含量也在18K(75％)，但其它另含有約4％的銀和21％的銅，呈現(xiàn)美麗的淡粉玫瑰色 3、14K紅金，黃金含量在14K(58.33％)，其它添加金屬為銅(41.67％)。 有的PVD鍍膜廠玫瑰金靶也有添加一些其它的稀有元素，用來達到不同的色調(diào)或用來改變鍍層的性能，這也是市面上每一家PVD廠鍍出的色調(diào)都有一些差異的原因之一。

PECVD制備氫化非晶硅薄膜本實驗采用單晶硅片為襯底，按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干，然后置于PECVD系統(tǒng)中。樣品制備條件為襯底溫度250℃，工作氣壓120Pa，射頻功率100W，氣體流量SiH4/H2=15/5sccm，沉積時間30min，制備得到a-Si：H薄膜樣品。(1)非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨著濺射功率的增大而增大，膜的均勻性將會變差;(2)非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小，非晶硅薄膜均勻性變好;(3)在0.5Pa至2.0Pa范圍內(nèi)，隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大;(4)隨著濺射時間的增加,膜的厚度成非線性增加，沉積速率開始較快，之后逐漸減慢，膜的表面粗糙度逐漸變大;(5)隨著濺射氣壓的增大，沉積速率有所降低。背靶到靶材的導熱性能就會受到很大的影響，導致在濺射過程中熱量無法散發(fā)終會造成靶材開裂或脫靶。

磁控濺射制備非晶硅薄膜   本實驗采用石英玻璃為襯底，實驗前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，濺射時間120 min，濺射氣壓2.0 Pa，襯底溫度為室溫。樣品1# 和2# 均切為3 小塊，其中各保留一小塊不做退火處理，其他的小塊樣品處理情況為1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在馬弗爐中退火1h。將1# 和2#未處理樣品用拉曼激光誘導方法，研究非晶硅薄膜的晶化過程。一般靶材拋光后，濺射速率、電壓等工藝參數(shù)比較穩(wěn)定，容易控制。蘇州氟化鏑靶型號

對于同一種靶材，晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快。合肥鎳釩靶圖片

靶中毒現(xiàn)象

(1)正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。（2）陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。

4、靶中毒的物理解釋

（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導通能力，降低了等離子體阻抗，導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發(fā)生靶中毒時，濺射電壓會***降低。 合肥鎳釩靶圖片

江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。