進(jìn)入了特大規(guī)模集成電路ULSI(UltraLarge-ScaleIntegration)時(shí)代。特大規(guī)模集成電路的集成組件數(shù)在107~109個(gè)之間。ULSI電路集成度的迅速增長(zhǎng)主要取決于以下兩個(gè)因素:一是晶體生長(zhǎng)技術(shù)已達(dá)到極高的水平;二是制造設(shè)備不斷完善,加工精度、自動(dòng)化程度和可靠性的提高已使器件尺寸進(jìn)入深亞微米級(jí)領(lǐng)域。硅單晶制備技術(shù)可使晶體徑向參數(shù)均勻,體內(nèi)微缺陷減少,。對(duì)電路加工過(guò)程中誘生的缺陷理論模型也有了較為完整的認(rèn)識(shí),由此發(fā)展了一整套晶體的加工工藝。生產(chǎn)電路用的硅片直徑的不斷增大,導(dǎo)致生產(chǎn)效率大幅度提高,硅片的直徑尺寸已達(dá)到12英寸。微缺陷的減少使芯片成品率增加,DRAM的成品...