ESD保護二極管總電容（C(T)）相對于受保護信號線的頻率是否足夠低：圖3.3顯示ESD保護二極管的等效電路。二極管在正常工作期間不導通。此時，pn結(jié)交界面形成耗盡層，如圖3.3所示。耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護信號線頻率的基礎(chǔ)上，正確選擇ESD保護二極管，否則信號質(zhì)量會下降。圖3.4顯示了總電容（C(T)）分別為5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保護二極管插入損耗特性。電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸?shù)男盘枺?pF電容的ESD保護二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。醫(yī)療設(shè)備對靜電敏感，ESD保護二極管用于保護精密的電子元件。廣東星河微/SReleicsESD保護二極管SR18D3BL型號近期價格

      ESD保護二極管是一種齊納二極管。當二極管反向偏置時，有很少的電流從陰極流向陽極。然而，當反向偏壓超過某一點（稱為反向擊穿電壓）時，反向電流突然增加。隨著反向偏壓增加，無論二極管流過的電流大小，二極管都會形成恒定電壓區(qū)域。利用齊納二極管擊穿電壓（齊納電壓）特性可以構(gòu)成恒壓穩(wěn)壓器，抑制浪涌電壓。齊納穩(wěn)壓二極管用于保持恒定電壓，而ESD保護二極管用于吸收ESD能量，保護電路。  反向擊穿電壓反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。新型ESD保護二極管SR08D3BL型號售價ESD二極管能在極短時間內(nèi)響應(yīng)靜電放電事件，防止過高的電壓進入電路。

       ESD保護二極管考慮到要保護的信號線的極性，有必要選擇單向或雙向ESD保護二極管。不同類型的二極管用于*正向擺動的未調(diào)制數(shù)字信號（例如，0V（邏輯低電平）與5V（邏輯高電平）之間），以及電壓可正可負的無偏壓模擬信號。雙向ESD保護二極管可用于高于和低于GND范圍的信號，如下圖所示。（單向和雙向二極管均可用于電壓*為正或*為負的信號。)在發(fā)生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護二極管和受保護器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護器件的電流（即增加分流到ESD保護二極管的電流）是十分重要的。

       隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對ESD保護二極管的要求也越來越高。未來的ESD保護二極管將朝著更高性能、更小體積、更低寄生電容的方向發(fā)展。同時，隨著新材料和新工藝的應(yīng)用，ESD保護二極管的性能將得到進一步提升，為電子設(shè)備的安全運行提供更加可靠的保障。ESD保護二極管在以下情況下使用比較合適：數(shù)據(jù)傳輸接口：如USB、HDMI、Ethernet和Serial等接口，常暴露在外部環(huán)境中，易受到靜電放電的影響。ESD保護二極管可以有效保護這些接口，防止靜電放電造成的電壓瞬變對內(nèi)部電路的破壞。ESD3.3V02D-SLC：屬于 3V 系列的低電容 ESD 靜電保護二極管陣列。

       在發(fā)生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護二極管和受保護器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護器件的電流（即增加分流到ESD保護二極管的電流）是十分重要的。目前，ESD保護二極管數(shù)據(jù)表含有動態(tài)電阻（R(DYN)）。R(DYN)是反向?qū)Ｊ较耉(F)–I(F)曲線的斜率。如果發(fā)生ESD沖擊，給定電壓下，低動態(tài)電阻ESD保護二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護二極管和受保護器件的阻抗可視為并聯(lián)阻抗。如果ESD保護二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流，減少流入受保護器件的電流，從而降低損壞的可能性。        多層二極管：由多個二極管層疊而成，提供更高的ESD保護能力。廣東新型ESD保護二極管SR12D3BL型號怎么樣

GBLC05C：低電容 TVS 管，結(jié)電容低至 1.5pF、響應(yīng)時間快、瞬態(tài)功率大、漏電流低。廣東星河微/SReleicsESD保護二極管SR18D3BL型號近期價格

       高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（Eg）寬度減小，從而產(chǎn)生齊納效應(yīng)。此外，隨著溫度升高，半導體晶格振動增加，載流子遷移率相應(yīng)下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意，即使同一產(chǎn)品系列的二極管，溫度特性也不一樣。廣東星河微/SReleicsESD保護二極管SR18D3BL型號近期價格