AlN陶瓷金屬化的方法主要有:薄膜金屬化(如Ti/Pd/Au)、厚膜金屬化(低溫金屬化、高溫金屬化)、化學鍍金屬化(如Ni)、直接覆銅法(DBC)及激光金屬化。薄膜金屬化法采用濺射鍍膜等真空鍍膜法使膜材料和基板結合在一起,通常在多層結構基板中,基板內部金屬和表層金屬不盡相同,陶瓷基板相接觸的薄膜金屬應該具有反應性好、與基板結合力強的特性,表面金屬層多選擇電導率高、不易氧化的金屬。由于是氣相沉積,原則上任何金屬都可以成膜,任何基板都可以金屬化,而且沉積的金屬層均勻,結合強度高。但薄膜金屬化需要后續(xù)圖形化工藝實現金屬引線的圖形制備,成本較高。氮化鋁是纖鋅礦型的晶體結構,無毒,呈白色或灰白色。金華片狀氮化硼哪家好
氮化鋁的應用:應用于陶瓷及耐火材料,氮化鋁可應用于結構陶瓷的燒結,制備出來的氮化鋁陶瓷,不但機械性能好,抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷,硬度高,還耐高溫耐腐蝕。利用AlN陶瓷耐熱耐侵蝕性,可用于制作坩堝、Al蒸發(fā)皿等高溫耐蝕部件。此外,純凈的AlN陶瓷為無色透明晶體,具有優(yōu)異的光學性能,可以用作透明陶瓷制造電子光學器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層。復合材料,環(huán)氧樹脂/AlN復合材料作為封裝材料,需要良好的導熱散熱能力,且這種要求愈發(fā)嚴苛。環(huán)氧樹脂作為一種有著很好的化學性能和力學穩(wěn)定性的高分子材料,它固化方便,收縮率低,但導熱能力不高。通過將導熱能力優(yōu)異的AlN納米顆粒添加到環(huán)氧樹脂中,可有效提高材料的熱導率和強度。深圳陶瓷氮化硼商家氮化鋁由于造價高,只能用于磨損嚴重的部位。
氮化鋁(AlN)綜合性能相當優(yōu)良,是當前具有高熱傳導性和出色的電絕緣特性這一有趣組合的先進陶瓷材料,這樣得天獨厚的優(yōu)點使得業(yè)界對它的應用潛力十分看好。盡管氮化鋁是當前材料科學界很炙手可熱的材料之一,但其發(fā)展其實并不順遂。盡管在1877年就已合成,但隨后的100多年間其實都沒什么實際應用,直到20世紀50年代,人們才成功制得氮化鋁陶瓷,并作為耐火材料應用于純鐵、鋁以及鋁合金的熔煉。要發(fā)展氮化鋁陶瓷,選對方向很關鍵。目前氮化鋁陶瓷的制備工藝日趨成熟,應用范圍也在不斷擴大,尤其是進入21世紀后,人們對微電子技術的重視又為氮化鋁材料的發(fā)展增添了不少籌碼。
氮化鋁是一種綜合性能優(yōu)良的陶瓷材料,由于氮化鋁是共價化合物,自擴散系數小,熔點高,導致其難以燒結,直到20世紀50年代,人們才成功制得氮化鋁陶瓷,并作為耐火材料應用于純鐵、鋁以及鋁合金的熔煉。自20世紀70年代以來,隨著研究的不斷深入,氮化鋁的制備工藝日趨成熟,其應用范圍也不斷擴大。尤其是進入21世紀以來,隨著微電子技術的飛速發(fā)展,電子整機和電子元器件正朝微型化、輕型化、集成化,以及高可靠性和大功率輸出等方向發(fā)展,越來越復雜的器件對基片和封裝材料的散熱提出了更高要求,進一步促進了氮化鋁產業(yè)的蓬勃發(fā)展。利用AIN陶瓷耐熱耐熔體光學性能可作紅外線窗口。
氮化鋁陶瓷的運用:氮化鋁陶瓷基板:氮化鋁陶瓷基板熱導率高,膨脹系數低,強度高,耐高溫,耐化學腐蝕,電阻率高,介電損耗小,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷零件:氮化鋁 (AlN) 具有高導熱性、高耐磨性和耐腐蝕性,是半導體和醫(yī)療行業(yè)很理想的材料。典型應用包括:加熱器、靜電卡盤、基座、夾環(huán)、蓋板和 MRI 設備。氮化鋁陶瓷使用須知:氮化鋁陶瓷在700°C的空氣中會發(fā)生表面氧化,即使在室溫下,也檢測到5-10nm的表面氧化層。這將有助于保護材料本體,但它也將降低材料表面的導熱率。在惰性氣氛中,該氧化層可在高達1350°C 的溫度下保護材料本體,當在高于此溫度時本體將會發(fā)生大量氧化。氮化鋁陶瓷在高達 980°C 的氫氣和二氧化碳氣氛中是穩(wěn)定的。氮化鋁陶瓷會與無機酸和強堿、水等液體發(fā)生化學反應并緩慢溶解,所有它不能直接浸泡在這類物質中使用。但氮化鋁可以抵抗大多數熔鹽的侵蝕,包括氯化物和冰晶石。制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問題。深圳陶瓷氮化硼商家
氮化鋁很高可穩(wěn)定到2200℃,室溫強度高,且強度隨溫度的升高下降較慢。金華片狀氮化硼哪家好
在氮化鋁一系列重要的性質中,很為明顯的是高的熱導率。關于氮化鋁的導熱機理,國內外已做了大量的研究,并已形成了較為完善的理論體系。主要機理為:通過點陣或晶格振動,即借助晶格波或熱波進行熱的傳遞。量子力學的研究結果告訴我們,晶格波可以作為一種粒子——聲子的運動來處理。熱波同樣具有波粒二象性。載熱聲子通過結構基元(原子、離子或分子)間進行相互制約、相互協調的振動來實現熱的傳遞。如果晶體為具有完全理想結構的非彈性體,則熱可以自由的由晶體的熱端不受任何干擾和散射向冷端傳遞,熱導率可以達到很高的數值。其熱導率主要由晶體缺陷和聲子自身對聲子散射控制。金華片狀氮化硼哪家好
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