陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法，廣FAN用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依賴于當(dāng)離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na2O）。EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合。重慶優(yōu)惠價格鍵合機(jī)

在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負(fù)電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達(dá)邊界時與硅反應(yīng)，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起。中國臺灣EVG301鍵合機(jī)EVG鍵合機(jī)使用直接（實時）或間接對準(zhǔn)方法，能夠支持大量不同的對準(zhǔn)技術(shù)。

EVG®301單晶圓清洗系統(tǒng)，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站，該清洗站使用標(biāo)準(zhǔn)的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預(yù)對準(zhǔn)功能，是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng)，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準(zhǔn)和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對準(zhǔn)問題，實際應(yīng)用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進(jìn)行了圓片級封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝。

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200、300毫米ZUI高數(shù)量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統(tǒng)4個裝載口特征：多達(dá)八個預(yù)處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊，對準(zhǔn)驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實現(xiàn)ZUI高吞吐量光學(xué)邊緣對準(zhǔn)模塊：Xmax/Ymax=18μm3σEVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝，這對于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。實際價格鍵合機(jī)推薦廠家

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